Транзисторы Toshiba снова бьют рекорды

Из последних крупных достижений Toshiba стоит отметить GaN-транзисторы, разработанные в конце прошлого года, которые работают на частоте 9,5 ГГц с выходной мощностью 81,3 Вт, что стало рекордным показателем в отрасли. Как и было обещано, в своих последующих исследованиях японские инженеры уделили особое внимание разработке полевых транзисторов для частотного диапазона 12-18 ГГц (так называемый Ku-band диапазон). Результатом их работы стало создание транзистора, способного работать на частоте 14,5 ГГц при рекордно высокой для такого режима работы выходной мощности 65,4 Вт.

В структуре новых полевых транзисторов можно выделить AlGaN и GaN слои, которые формируются на кремниевом карбиде. Чтобы оптимизировать работу на частоте 14,5 ГГц, разработчики уменьшили длину затвора до 0,3 микрона. Значительные усилия были приложены для минимизации тепловыделения. Подробнее о своих достижениях Toshiba расскажет на конференции European Microwave Conference, которая проходит в Мюнхене с 8 по 12 октября.

Основными областями применения новых транзисторов станут спутниковые и радарные системы. Отгрузки первых образцов GaN-транзисторов Toshiba начнет к концу этого года, а массовое производство намечено на март 2008 года.

Конечно, Toshiba не собирается останавливаться на достигнутом. В ближайших планах компании значится освоение диапазона 18-30 ГГц (Ka-band).

Ключевые характеристики нового транзистора:
Напряжение стока: 30 В;
Выходная мощность: 65,4 Вт;
Рабочая частота: 14,5 ГГц;
Размер кристалла: 3,4 х 0,53 мм;
Габариты корпуса: 21 х 12,9 мм.