Samsung представила первую 30-нанометровую флэш-память

Разработка Samsung основана на технологии Multi Level Cell (MLC), заключающейся в использовании для хранения информации многоуровневых ячеек. Стандартные MLC-накопители обладают емкостью до двух гигабайт (16 гигабит). Четырехкратное увеличение емкости стало возможным благодаря 30-нанометровому техпроцессу.

Стандартная карта SecureDigital или CompactFlash, оснащенная шестнадцатью модулями памяти Samsung, может хранить до 128 гигабайт данных (в восемь раз больше емкости современных флэш-носителей). Потенциальная емкость 1,8-дюймового твердотельного накопителя (SSD), основанного на 64 таких модулях, может составлять 512 гигабайт (современные SSD могут вместить до 128 гигабайт информации).

Samsung планирует начать массовое производство таких модулей памяти в 2009 году.